本發(fā)明提供了一種PEC性能良好的CoO
x/BiVO
4復(fù)合材料的制備,是將BiVO
4薄膜浸泡于CoCl
2溶液中,使Co
2+達(dá)到吸附平衡;再將吸附有Co
2+的BiVO
4薄膜置于烘箱中干燥后置于馬弗爐中,經(jīng)高溫煅燒,將CoO
x納米粒子成功載入BiVO
4薄膜結(jié)構(gòu),使得n型BiVO
4半導(dǎo)體構(gòu)建成為p?n異質(zhì)結(jié),形成的CoO
x/BiVO
4復(fù)合材料具有蟲狀結(jié)構(gòu),這種蟲狀結(jié)構(gòu)有效地抑制了光生載流子的復(fù)合,加速了電子和空穴的傳輸速率,因此具有優(yōu)異的PEC活性,以其作為光電陽極材料用于析氫反應(yīng),表現(xiàn)出優(yōu)異的光
電化學(xué)分解水性能。
聲明:
“負(fù)載氧化鈷納米粒子的釩酸鉍復(fù)合材料的制備及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)