本發(fā)明公開了一種制備聚吡咯/凹凸棒土納米導(dǎo)電
復(fù)合材料的方法,先向去離子水中加入凹凸棒土配制成凹凸棒土漿料,水與凹凸棒土的質(zhì)量比為4~19∶1;將吡咯單體和摻雜劑分別加入到凹凸棒土漿料中攪拌均勻,吡咯與凹凸棒土的質(zhì)量比為0.1~0.5∶1,摻雜劑與吡咯的摩爾比為0.15~1.05∶1;再在混合漿料中加入氧化劑,氧化劑與吡咯的摩爾比為1~5∶1,在10~60℃下化學(xué)氧化聚合10~30MIN;最后進(jìn)行固液分離后用去離子水洗滌至濾液為無色;將濾餅于60~150℃下干燥、粉碎得到聚吡咯/凹凸棒土納米導(dǎo)電粉體。本發(fā)明采用快速化學(xué)氧化原位聚合的方法,在一維納米棒狀凹凸棒土單晶表面包覆上導(dǎo)電高分子聚吡咯制得,不需特殊前處理,合成工藝簡單快捷,導(dǎo)電性能優(yōu)異,熱穩(wěn)定性能優(yōu)良。
聲明:
“制備聚吡咯/凹凸棒土納米導(dǎo)電復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)