本發(fā)明公開了一種優(yōu)化多孔碳結(jié)構(gòu)體/聚合物
復合材料導電性能的方法,主要是在三維
石墨烯結(jié)構(gòu)體的基礎(chǔ)上高溫退火處理,獲得穩(wěn)定的多孔結(jié)構(gòu)體,利用等離子體化學氣相沉積技術(shù),在三維石墨烯結(jié)構(gòu)體的孔壁間定向生長
碳納米管,形成石墨烯與碳納米管的多級網(wǎng)絡(luò),獲得各向同性的多孔碳結(jié)構(gòu)體,作為聚合物的增強體,顯著提高多孔碳結(jié)構(gòu)體/聚合物復合材料的導電性能。本發(fā)明中,碳納米管的引入實現(xiàn)了導電通道的多元化,有利于構(gòu)建多通道電子傳輸路徑。同時,發(fā)明中涉及的多孔碳結(jié)構(gòu)體還具有低密度、高比表面積、高孔隙率等優(yōu)點。
聲明:
“優(yōu)化多孔碳結(jié)構(gòu)體/聚合物復合材料導電性能的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)