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SiCf/SiC復(fù)合材料導(dǎo)向器葉片的環(huán)境防護(hù)涂層及其制備方法

787   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 16:18:05
本發(fā)明涉及一種SiCf/SiC復(fù)合材料導(dǎo)向器葉片的環(huán)境防護(hù)涂層的制備方法,包括:SiCf/SiC復(fù)合材料導(dǎo)向器葉片基體預(yù)熱,等離子噴涂—物理氣相沉積(PS?PVD)依次制備Si粘結(jié)層、莫來石過渡層、Yb2SiO5環(huán)境障層、La2Zr2O7熱障層,環(huán)境防護(hù)涂層可用于1400~1700℃的燃?xì)猸h(huán)境。本發(fā)明中的Si粘結(jié)層、莫來石過渡層、Yb2SiO5環(huán)境障層和La2Zr2O7熱障層在同一個(gè)設(shè)備上完成;通過PS?PVD噴槍加熱有效控制基體溫度,防止莫來石過渡層沉積過程中發(fā)生非晶反應(yīng);新增熱障層使得環(huán)境防護(hù)涂層可適應(yīng)1400~1700℃燃?xì)猸h(huán)境,適用于高性能導(dǎo)向器葉片環(huán)境防護(hù)涂層的制備。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):制備過程簡單,易操作,穩(wěn)定性好,溫度適用范圍廣以及應(yīng)用范圍廣。
聲明:
“SiCf/SiC復(fù)合材料導(dǎo)向器葉片的環(huán)境防護(hù)涂層及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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