本發(fā)明公開(kāi)了構(gòu)建含包埋在填料基體(104)中的顆粒(102)的
復(fù)合材料膜的方法,所述方法包括制備堆積的顆粒的聚集體(100),然后用原子層沉積(ALD)方法在整個(gè)顆粒聚集體(100)中沉積基體材料(104)以基本完全填充所述顆粒(102)與所述基體材料(104)間的空間(106,110)。在基體沉積過(guò)程中,可周期性地采用氣相蝕刻周期來(lái)避免所述顆粒聚集體中小孔(214)的堵塞。也公開(kāi)了通過(guò)這樣的方法形成的新的復(fù)合材料。
聲明:
“用原子層沉積制備復(fù)合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)