本發(fā)明公開了一種模擬陶瓷基
復(fù)合材料在高溫燃?xì)猸h(huán)境下燒蝕形貌的方法,本方法通過給定時(shí)間步長(zhǎng),基于燃?xì)鈿怏w組分和試件表面溫度分布,計(jì)算給定時(shí)間步長(zhǎng)下試件表面氧化膜SiO
2增長(zhǎng)速率和SiC退移速率,得到該時(shí)間步長(zhǎng)下的試件的初始形貌并獲得試件表面氧化膜SiO
2厚度,然后根據(jù)燃?xì)饬魉偾蠼鈺r(shí)間步長(zhǎng)下的試件的最終形貌,根據(jù)試件表面溫度分布,獲得試件固液交界面處的溫度分布;燃?xì)鈿怏w組分中的氧濃度,得到氧在固液交界面處的濃度分布;并經(jīng)過多次給定時(shí)間步長(zhǎng),獲得最終SiC
f/SiC復(fù)合材料燒蝕形貌。本發(fā)明綜合考慮高溫燃?xì)饬鞯臍鈩?dòng)力作用與熱化學(xué)反應(yīng)燒蝕的作用,耦合以上兩種因素獲得燒蝕結(jié)果,對(duì)燒蝕形貌做出更加精確的模擬。
聲明:
“模擬陶瓷基復(fù)合材料在高溫燃?xì)猸h(huán)境下燒蝕形貌的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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