本發(fā)明提供了一種硅基
復(fù)合材料及其制備方法。本發(fā)明提供的硅基復(fù)合材料,包括:硅基基體,包覆在所述硅基基體表面的快離子導(dǎo)體層,和包覆在所述快離子導(dǎo)體層表面的碳層;所述快離子導(dǎo)體層的快離子導(dǎo)體為LiAlSi
xO
y,其中,x≥1,y≥1。本發(fā)明在硅基基體表面依次包覆特定的快離子導(dǎo)體層LiAlSi
xO
y和碳涂層,有效改善了硅基
負(fù)極材料的電荷傳輸阻抗較高以及功率輸出較低的問題,有利于倍率性能的提升;同時,上述特定的雙包覆層配合,可有效緩解硅基材料的膨脹,提高循環(huán)性能。
聲明:
“硅基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)