本發(fā)明公開了一種CdSNRs@NiSilicate超薄納米片
復(fù)合材料的制備方法,是先在CdS?NRs表面上負(fù)載
硅烷層,再添加硝酸鎳以形成硅酸鎳;在水熱處理過程中消除了中間二氧化硅層,形成了CdS@NiSilicate納米結(jié)構(gòu),NiSilicate納米片作為保護(hù)層,抑制CdS的光致轉(zhuǎn)移,促進(jìn)CdS中的電荷分離,形成CdS?NRs與NiSilicate之間的異質(zhì)結(jié),這種獨特的1D?2D納米結(jié)構(gòu)具有大量活性位點的NiSilate納米片,比表面積明顯增加,加速了電子傳輸并大大提高性能,在光催化產(chǎn)氫中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。
聲明:
“CdSNRs@NiSilicate超薄納米片復(fù)合材料的制備及在析氫反應(yīng)中的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)