本發(fā)明公開了一種氧化鉬/碳包覆氮化鈦納米管陣列
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,所述材料包括氧化鉬納米膜和碳包覆氮化鈦納米管陣列膜;所述氧化鉬納米膜作為儲電活性層,碳包覆氮化鈦納米管陣列膜導(dǎo)電基底層,氧化鉬納米膜完全覆蓋在碳包覆氮化鈦納米管陣列膜的表面,形成一體化結(jié)構(gòu)的氧化鉬/碳包覆氮化鈦納米管陣列復(fù)合材料;所述氧化鉬納米膜具有納米顆粒組裝而成的微孔膜結(jié)構(gòu),碳包覆氮化鈦納米管陣列具有管壁相連、有序緊密排列的納米管陣列結(jié)構(gòu)。相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明所述材料具有更好導(dǎo)電性和
電化學耐腐蝕性,同時,所得材料具有較高的能量密度和功率密度,且充放電循環(huán)穩(wěn)定性好。
聲明:
“氧化鉬/碳包覆氮化鈦納米管陣列復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)