本發(fā)明提供一種具有高
電化學(xué)特性的硅/
石墨烯多層膜
復(fù)合材料陽(yáng)極結(jié)構(gòu),藉石墨烯高導(dǎo)電性的優(yōu)點(diǎn)改善硅材料的電化學(xué)特性,并將該石墨烯及該硅薄膜的厚度皆控制于100nm以下,以降低充放電過(guò)程中各薄膜的體積變化。首先于銅箔電流收集器表面沉積一石墨烯薄膜以形成該結(jié)構(gòu)的底表面,可避免該電流收集器與該硅薄膜的導(dǎo)電度差異過(guò)大而造成電化學(xué)表現(xiàn)不佳。為防止該硅薄膜因接觸空氣而氧化成不具活性的二氧化硅,故最后亦以一石墨烯薄膜形成該結(jié)構(gòu)的頂表面。
聲明:
“多層膜硅/石墨烯復(fù)合材料陽(yáng)極結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)