本發(fā)明公開一種C/SiC
復合材料的制備方法,包括以下步驟:(1)采用化學氣相沉積工藝在預制體的
碳纖維表面沉積熱解碳界面層;(2)采用CVI工藝沉積SiC基體,形成C/SiC毛坯材料;(3)將C/SiC毛坯材料浸漬在SiC漿料中,取出,采用CVI工藝沉積SiC基體,得到符合要求的C/SiC復合材料。該方法選用特定的碳纖維原料,采用CVI沉積SiC基體和SiC漿料滲透過程相結合的工藝,制備得到的C/SiC復合材料在常溫以及高溫1500℃下均具有優(yōu)異的力學性能;且制備方法簡單、高效、易于大規(guī)模工業(yè)應用。
聲明:
“C/SiC復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)