本發(fā)明涉及一種過渡金屬碳納米
復(fù)合材料的制備方法,屬于電極材料制備領(lǐng)域。該方法以杏核殼為碳源,炭化后經(jīng)植物透明質(zhì)酸銀耳多糖改性,原位沉積鎳元素,煅燒后制得過渡金屬碳納米復(fù)合材料。本發(fā)明將杏核殼用季銨鹽溶液浸泡增大孔隙率,炭化后再經(jīng)富含活性羥基和羧基的銀耳多糖生物改性,增加碳基表面的活性沉積位點(diǎn),經(jīng)原位沉積法包覆一層鎳離子,煅燒后在碳基表面形成氧化鎳層,制得多孔氧化鎳碳基復(fù)合材料,即具有金屬氧化物高電容量的特點(diǎn),又兼?zhèn)涮疾牧系母邔?dǎo)電率、性質(zhì)穩(wěn)定的特點(diǎn),是一種性能優(yōu)異的電極材料。
聲明:
“過渡金屬碳納米復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)