本發(fā)明涉及SiC材料及SiC
復(fù)合材料,更具體地,根據(jù)以下式1計(jì)算的X?衍射峰的衍射強(qiáng)度比I未滿1.5的SiC材料及SiC復(fù)合材料。本發(fā)明可提供SiC材料及SiC復(fù)合材料,其暴露在等離子體時(shí),被均勻地蝕刻,可降低裂化、洞等的發(fā)生。【式1】衍射強(qiáng)度比I=(200面峰強(qiáng)度+220面的峰強(qiáng)度)/111面的峰強(qiáng)度。
聲明:
“SiC材料及SiC復(fù)合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)