本發(fā)明提供了一種單質(zhì)硅顆粒錨定在氮摻雜
石墨烯軸向平面內(nèi)部的納米
復(fù)合材料的制備方法及其產(chǎn)品,首先通過配位化合物原位生長的方式構(gòu)建硅的配體框架化合物,接著采用將配位化合物與氮源和碳源共混后在高溫下煅燒的方式從而得到硅納米顆粒錨定在石墨烯片軸向平面的納米復(fù)合材料。該方法制備出的復(fù)合材料呈現(xiàn)三維結(jié)構(gòu),硅納米顆粒分散并且嵌入在石墨烯類材料的內(nèi)部,硅與氮的共摻雜致使石墨烯材料的帶隙結(jié)構(gòu)有效打開,得到的材料具有半導(dǎo)體的性質(zhì)。它實(shí)現(xiàn)了單質(zhì)硅納米顆粒和氮原子以及石墨烯材料的有效結(jié)合,其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)有利于電子在界面間的快速遷移,因而在催化、能量儲存、光電器件和傳感器等眾多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“單質(zhì)硅顆粒錨定在氮摻雜石墨烯軸向平面內(nèi)部的納米復(fù)合材料的制備及產(chǎn)品” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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