本發(fā)明公開(kāi)了一種制備Diamond/SiC
復(fù)合材料的方法,包括如下步驟:1)制備金剛石預(yù)制體:將金剛石、石墨、硅粉、粘結(jié)劑按質(zhì)量比混合均勻并壓制生坯,將生坯在1000?1200℃保護(hù)氣氛下碳化得金剛石預(yù)制體;2)制備Diamond/SiC復(fù)合材料:將金剛石預(yù)制體置于氮化硅粉末上,于1500?1700℃真空爐中充分反應(yīng)1?2h即得Diamond/SiC復(fù)合材料。本發(fā)明有效的避免了過(guò)量硅粉對(duì)樣品的粘連,便于后續(xù)樣品處理。
聲明:
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