本發(fā)明提供了一種可控的外延生長(zhǎng)的分級(jí)結(jié)構(gòu)的納米
復(fù)合材料、制備方法及其應(yīng)用,以納米帶狀的三氧化鉬為前驅(qū)體,用硫和硒同時(shí)在其表面刻蝕而形成外延生長(zhǎng)的分級(jí)結(jié)構(gòu)的多孔片狀的MoS
2(1?x)Se
2x的納米復(fù)合材料,且在保證分級(jí)結(jié)構(gòu)的完整性的前提下調(diào)整硫和硒的比例制備出不同比例的分級(jí)結(jié)構(gòu)的MoS
2(1?x)Se
2x納米復(fù)合材料,從而優(yōu)化材料的
電化學(xué)性能。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明制備的產(chǎn)物兼容性高且形貌可控,此復(fù)合材料具有很好的兼容性,很高的導(dǎo)電性、大比表面積和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,生產(chǎn)成本低,重現(xiàn)性好,在
儲(chǔ)能方面具有很大潛在的應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“可控的外延生長(zhǎng)的分級(jí)結(jié)構(gòu)的納米復(fù)合材料、制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)