本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體
復(fù)合材料,包括TiN納米管陣列基底以及復(fù)合于所述基底表面的C3N4?CdS復(fù)合材料層。本發(fā)明向TiO2上摻雜C3N4和CdS,從而加強其光催化的能力。通過測樣發(fā)現(xiàn)TiN?C3N4?CdS的半導(dǎo)體復(fù)合材料,比傳統(tǒng)的TiO2材料的光電響應(yīng)提高了5倍以上。
聲明:
“半導(dǎo)體光敏感復(fù)合材料及其制備方法以及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)