3[Ge2O5]·(OH)4復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,復(fù)合材料"> 3[Ge2O5]·(OH)4復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,本發(fā)明提供一種ZnO/Ni3[Ge2O5]·(OH)4復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,以層狀Ni3[Ge2O5]·(OH)4為基礎(chǔ)底料,將ZnO顆粒均勻的負(fù)載在Ni3[Ge2O5]·(OH)4納米盤上,制備方法是通過沉積法一步合成了ZnO/Ni3[Ge2O5]·(OH)4復(fù)合材料,該材料有效提高ZnO的表面積,提高電荷分離效率,并且提高了ZnO的光量子產(chǎn)率、拓展了光吸收波長,提高了光催化反應(yīng)的活性。本發(fā)明制備光催化復(fù)合材料活性較高,有利于進(jìn)一步推進(jìn)光催化技術(shù)在">
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