本發(fā)明公開(kāi)了一種Cu
2O/1T MoS
2復(fù)合材料及其制備方法與應(yīng)用,屬于光學(xué)材料制備技術(shù)領(lǐng)域,該復(fù)合材料以MoS
2(1T MoS
2)納米片為襯底原位生長(zhǎng)具有p型半導(dǎo)體性質(zhì)的Cu
2O材料(Cu
2O/1T MoS
2)并應(yīng)用于甲基橙的光降解。該復(fù)合材料通過(guò)獲得金屬相MoS
2,金屬相MoS
2具有非常好的導(dǎo)電性,有助于
半導(dǎo)體材料Cu
2O所產(chǎn)生的電子空穴對(duì)的快速轉(zhuǎn)移,從而降低電子空穴對(duì)的再次復(fù)合,大大提高了Cu
2O的光學(xué)性質(zhì)。并成功應(yīng)用于甲基橙的光降解,很大程度上提高了Cu
2O對(duì)的光降解性能。
聲明:
“氧化亞銅/二硫化鉬復(fù)合材料及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)