本發(fā)明公開了一種高功函數(shù)
復(fù)合材料的制備方法,采用物理氣相沉積法依次在二維材料襯底表面沉積含氟有機(jī)半導(dǎo)體分子層和金屬層后,熱處理得到高功函數(shù)復(fù)合材料。該方法通過控制復(fù)合材料熱處理退火的溫度,簡單、可靠的實(shí)現(xiàn)對其功函數(shù)的調(diào)控,改善其在有機(jī)
光伏器件中作為新型的陽極材料的應(yīng)用。本發(fā)明操作簡便,整個(gè)制備過程安全無害,具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“高功函數(shù)復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)