本發(fā)明涉及電子封裝熱管理材料制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種氮化鋁納米花/聚合物
復(fù)合材料及其制備方法。所述制備方法包括:A)將鋁粉與鹽溶液混合,進(jìn)行超聲波空化腐蝕;B)將步驟A)的產(chǎn)物溶液進(jìn)行抽濾,得到濾餅;C)將濾餅粉碎,與固體氮源混勻后,在含氮?dú)夥障逻M(jìn)行氮化反應(yīng);D)將氮化反應(yīng)后的產(chǎn)物進(jìn)行除碳,得到氮化鋁納米花;E)將氮化鋁納米花、燒結(jié)助劑及添加劑在溶劑中均勻混合成懸濁液后,進(jìn)行定向冷凍成型,再經(jīng)冷凍干燥后進(jìn)行燒結(jié),得到多孔氮化鋁三維網(wǎng)絡(luò)骨架;F)在真空條件下,將樹脂浸滲進(jìn)多孔氮化鋁三維網(wǎng)絡(luò)骨架后進(jìn)行固化,得到氮化鋁納米花/聚合物復(fù)合材料。本發(fā)明的氮化鋁納米花/聚合物復(fù)合材料具有優(yōu)良的熱導(dǎo)率。
聲明:
“氮化鋁納米花/聚合物復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)