本發(fā)明涉及
半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種硫化鉍/二氧化鈦
復(fù)合材料薄膜及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明以鈦酸四丁酯為鈦源,以鹽酸和水為溶劑,水熱法制備TiO
2納米棒薄膜;將pH為1~2的硝酸鉍溶液和硫代硫酸鈉溶液混合,攪拌反應(yīng)10~20min,得到前驅(qū)體溶液;TiO
2納米棒薄膜置于前驅(qū)體溶液中,進(jìn)行水熱敏化處理,最后100~400℃退火處理30~50min,得到硫化鉍/二氧化鈦復(fù)合材料薄膜。本發(fā)明制得的硫化鉍/二氧化鈦復(fù)合材料薄膜的結(jié)晶性和光電性能有明顯提高,同時有效地控制Bi
2S
3的均勻結(jié)晶性,操作簡單、成本低,重復(fù)性高,有良好的穩(wěn)定性。
聲明:
“硫化鉍/二氧化鈦復(fù)合材料薄膜及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)