本發(fā)明涉及直接引入與原位生成TiC顆粒共同增強(qiáng)鎳基
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,所述復(fù)合材料包括鎳基合金基體、以及均勻分布在所述鎳基合金基體內(nèi)的直接引入的TiC顆粒和原位生成的TiC顆粒,其中,原位生成的TiC顆粒占總TiC的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10~40wt.%。本發(fā)明的直接引入與原位生成TiC顆粒共同增強(qiáng)鎳基復(fù)合材料有效地降低了鎳基合金的熱膨脹系數(shù),同時(shí)保持良好的線性膨脹行為與較高導(dǎo)電率。
聲明:
“直接引入與原位生成TiC顆粒共同增強(qiáng)鎳基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)