一種鋁基碳化硅高密度封裝半導體
復合材料,以重量計,包括以下原料:鋁20~40份、鎂6~10份、碳化硅微粉15~19份、
碳纖維增強體10~20份、鈦10~14份、鈮2~6份、鉑3~7份、鐵10~20份、銅10~14份;本發(fā)明的有益效果是在原料中加入了鈦、鈮、鉑和碳纖維增強體,從而使鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料的結構強度更高,防止鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料在使用時發(fā)生損壞。
聲明:
“鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)