本發(fā)明提供了一種壓電納米
復(fù)合材料及其制備方法。本發(fā)明提供的壓電納米復(fù)合材料包括Gd摻雜的鈦酸鋇納米粒子和PLGA基材,其中,Gd摻雜的鈦酸鋇納米粒子均勻分散在PLGA基材中。所述Gd摻雜的鈦酸鋇納米粒子中,Gd離子通過離子摻雜方式進(jìn)入鈦酸鋇,其取代BTO中陽離子的位置而進(jìn)入BTO的四方相結(jié)構(gòu)中,對鈦酸鋇的四方相結(jié)構(gòu)造成一定影響,從而提升復(fù)合材料的壓電性能,且還能提升壓電材料的表面電荷。同時,Gd離子的摻雜,使納米粒子的磁性由抗磁性向順磁性轉(zhuǎn)變,并且提高了納米粒子密度,賦予材料顯影示蹤功能,達(dá)到MRI和X?Ray雙顯影的效果。
聲明:
“壓電納米復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)