一種
碳纖維增強(qiáng)的氮化硅-碳化硅陶瓷基
復(fù)合材料的增密方法。首先通過(guò)CVI或是PIP來(lái)制備C/SiC陶瓷基復(fù)合材料。對(duì)C/SiC陶瓷基復(fù)合材料進(jìn)行CVI碳化硅,由于纖維束間交叉空隙大,將CVI時(shí)間延長(zhǎng)時(shí)間為20~30小時(shí)。當(dāng)CVI碳化硅增密到80~90%時(shí),在C/SiC表面涂刷硅粉,尤其是在大孔處填充。烘干后進(jìn)行氮化處理。氮化完成以后,再通過(guò)CVD給CMC表面制備SiC涂層,CVD時(shí)間為20~30小時(shí),便完成了碳纖維增強(qiáng)氮化硅-碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的增密。這種增密方法不僅提高了CMC制備的效率,還減小了基體的熱膨脹系數(shù),提高了CMC的抗熱震性能。
聲明:
“碳纖維增強(qiáng)氮化硅-碳化硅陶瓷復(fù)合材料的增密方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)