本發(fā)明涉及
半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種肖特基結(jié)
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供了一種肖特基結(jié)復(fù)合材料,由Ti3C2Tx片層及負(fù)載在所述Ti3C2Tx片層上的AgI微球組成,其中,一個(gè)Ti3C2Tx片層上負(fù)載有多個(gè)AgI微球。該肖特基結(jié)復(fù)合材料可用于光
電化學(xué)傳感器的肖特基結(jié)復(fù)合材料,能夠大幅提升光電化學(xué)傳感器的性能。
聲明:
“肖特基結(jié)復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)