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利用高介電常數(shù)復合材料實現(xiàn)光隔離的方法和器件

833 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 15:44:02

本發(fā)明公開了材料和光電子技術領域的一種利用高介電常數(shù)復合材料實現(xiàn)光隔離的方法和器件。所述利用高介電常數(shù)復合材料實現(xiàn)光隔離的器件為一維單缺陷磁光光子晶體結構，其結構式為：G₁G₂G₁G₂G₁G₂MG₁G₂G₁G₂G₁G₂G₁G₂G₁G₂G₁G₂G₁，其中：G₁為低介電常數(shù)材料，G₂為高介電常數(shù)復合材料，M是摻鉍釔鐵石榴石。本發(fā)明解決了現(xiàn)有反射型磁光多層膜隔離器設計受限于已有材料電磁參量的問題。與現(xiàn)有的、在中心波長1.053微米處實現(xiàn)光隔離的一維單缺陷磁光子晶體結構相比，本發(fā)明所得結構總膜層數(shù)較少，降低了實際制備難度，結構的總厚度約為5.1微米，方便光路集成。同時，上述利用高介電常數(shù)復合材料實現(xiàn)光隔離的器件易于設計優(yōu)化反射型磁光多層膜隔離器性能。

聲明：

“利用高介電常數(shù)復合材料實現(xiàn)光隔離的方法和器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)