本發(fā)明公開了一種金屬銀二硫化鉬插層
復合材料的制備方法。該方法是一種基于高分子保護條件下的金屬單質的插層方法,即先將聚合物與含有金屬離子的水溶液混合形成均勻的溶膠體系,然后將溶膠插入到單層二硫化鉬層間,最后對金屬離子進行還原處理即得到含高分子和金屬單質的二硫化鉬插層復合材料。該方法開辟了合成插層復合材料的新途徑,所制備的插層復合材料中金屬離子已被完全轉化成金屬單質,而不是金屬離子和金屬單質的混合物。這種高分子保護條件下的金屬單質的插層方法簡單實用,有廣闊的應用前景。本發(fā)明的材料的電導率較二硫化鉬提高了6個數(shù)量級,在導電材料,潤滑材料,微電子機械領域具有潛在應用價值。
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“金屬銀二硫化鉬插層復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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