本發(fā)明涉及一種氣相滲硅工藝制備高致密纖維 增強(qiáng)SiC基
復(fù)合材料的制備方法。首先采用氣相或液相途徑在 纖維表面形成保護(hù)層界面,然后通過在納米SiC漿料浸漬、裂 解,制備成具有一定致密度的纖維增強(qiáng)SiC基的預(yù)制體。再通 過浸漬裂解方式向預(yù)制體中引入碳,形成具有一定孔隙的基 體,經(jīng)高溫處理后,以氣相硅的方式滲透多孔體內(nèi)部,與碳反 應(yīng)并填充孔隙,得到致密基體。通過該工藝制成
碳纖維增強(qiáng)SiC 陶瓷基復(fù)合材料密度達(dá)到2.25- 2.30g/cm3,開口空隙率在3-6 %,大大高于傳統(tǒng)化學(xué)氣相滲透法或有機(jī)前驅(qū)物浸漬裂解解法 得到Cf/SiC材料。
聲明:
“氣相滲硅工藝制備碳纖維增強(qiáng)碳化硅基復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)