本發(fā)明公開了一種核殼結(jié)構(gòu)粉體及其聚合物基介電
復(fù)合材料的制備方法,屬于復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將碳化硅熱氧化處理生成包覆二氧化硅殼層的SiC@SiO2核殼結(jié)構(gòu)粉體,將其加入到PVDF樹脂稀釋液中,加熱,蒸干溶劑,得到SiC@SiO2核殼結(jié)構(gòu)粉體的聚合物基介電復(fù)合材料,所述復(fù)合材料具有較低的介電損耗,有效地避免了半導(dǎo)體功能相因相互接觸而形成漏導(dǎo),具有較高的介電常數(shù)和較高力學(xué)強(qiáng)度和韌性。所述制備方法造價(jià)低廉、操作簡(jiǎn)單。
聲明:
“核殼結(jié)構(gòu)粉體及其聚合物基介電復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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