本發(fā)明公開了一種1?3型壓電單晶
復(fù)合材料制備方法,屬于電子元器件制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法由單晶的多線切割工藝、灌注工藝以及后續(xù)的脫模加工、印制電極等工藝過程組成。本方法發(fā)明的雙面多線切割工藝,充分發(fā)揮了線切割小應(yīng)力、接近常溫切割的特點,實現(xiàn)對極化后的壓電單晶進行高精度切割,制備的壓電單晶復(fù)合材料無明顯退極化,能夠充分發(fā)揮單晶復(fù)合材料的高性能;避免了單晶切割容易崩瓷、斷裂等不利影響。適合1?3型壓電單晶復(fù)合材料的制備,與傳統(tǒng)刀片式切割制備工藝相比,具有明顯的技術(shù)優(yōu)勢。
聲明:
“1-3型壓電單晶復(fù)合材料制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)