本發(fā)明公開了一種化學(xué)氣相沉積碳與氣相滲硅工藝聯(lián)合制備SiCf/SiC
復(fù)合材料的方法,包 括以下步驟:以SiC纖維為原料,采用三維編織技術(shù)制備SiC纖維編織件;以三氯甲基
硅烷為 沉積原料,對SiC纖維編織件進行第一次化學(xué)氣相沉積,沉積的SiC涂層厚度為0.1~70μm; 再以甲烷或丙烯氣體為原料,通過第二次化學(xué)氣相沉積對SiC纖維編織件沉積碳,得到SiCf/C 中間體;最后以單質(zhì)硅為原料,采用氣相滲硅工藝對所述的SiCf/C中間體進行滲硅得到 SiCf/SiC復(fù)合材料。本發(fā)明具有制備周期短、成本低等優(yōu)點,能夠制備得到高致密性、高力 學(xué)性能和熱導(dǎo)性能的SiCf/SiC復(fù)合材料。
聲明:
“化學(xué)氣相沉積碳與氣相滲硅工藝聯(lián)合制備SiCf/SiC復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)