本發(fā)明提供一種高體積分?jǐn)?shù)碳化硅鋁基
復(fù)合材料表面鋁膜層制備方法,即鋁基碳化硅復(fù)合材料表面離子鍍純鋁膜層的方法。將鋁基碳化硅復(fù)合材料構(gòu)件置于真空爐內(nèi),與真空室殼體之間加上負(fù)偏壓,抽真空后通直流電并充氬,利用輝光離子對構(gòu)件進(jìn)行轟擊凈化活化處理,清除表面氧化膜和吸附物;接通高頻電源,熱解BN坩堝內(nèi)的純鋁鍍料通過高頻感應(yīng)加熱蒸發(fā),鋁蒸發(fā)粒子在電場作用下,加速沉積在鋁基碳化硅構(gòu)件表面,形成0.13~0.25mm厚的鋁膜層。采用這種方法,由于沉積粒子與鋁基同種元素之間的強(qiáng)鍵合作用,以及輝光離子轟擊對構(gòu)件表面的凈化活化作用,從而在鋁基碳化硅復(fù)合材料表面形成結(jié)合牢固的鋁膜層,達(dá)到改善這類材料連接性能的目的。
聲明:
“高體積分?jǐn)?shù)SiC鋁基復(fù)合材料表面離子鍍鋁膜層的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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