一種金屬納米線和多孔氮化物
復(fù)合材料半導(dǎo)體,包括:襯底;緩沖層,位于襯底之上;復(fù)合材料層,位于所述緩沖層之上,包括橫向多孔氮化物模板層,以及填充于其多孔中的金屬納米線,上述復(fù)合材料半導(dǎo)體的制備方法包括:步驟1:在襯底上生長制備緩沖層和n型氮化物外延層;步驟2:將步驟1所制備的n型氮化物外延層制成橫向多孔氮化物模板層;步驟3:在步驟2所制備的橫向多孔氮化物模板層的孔中制備金屬納米線,得到復(fù)合材料層,制成金屬納米線和多孔氮化物復(fù)合材料半導(dǎo)體,以緩解現(xiàn)有技術(shù)中
半導(dǎo)體材料在光
電化學(xué)反應(yīng)過程中易被腐蝕,利用局域表面等離子體增強效應(yīng)提高半導(dǎo)體內(nèi)部材料的光電特性時制備工藝復(fù)雜,易損傷體材料等技術(shù)問題。
聲明:
“金屬納米線和多孔氮化物復(fù)合材料半導(dǎo)體及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)