本發(fā)明公開了一種環(huán)氧樹脂基
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,該環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料包括環(huán)氧樹脂基體和氮化硅泡沫陶瓷,所述環(huán)氧樹脂基體均勻填充于氮化硅泡沫陶瓷的孔洞中,所述氮化硅泡沫陶瓷在環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料中的體積百分含量為30%~40%。制備方法包括以下步驟:將環(huán)氧樹脂、固化劑和稀釋劑混合均勻,得到環(huán)氧樹脂基體;采用真空浸漬法使環(huán)氧樹脂基體浸漬到氮化硅泡沫陶瓷的孔洞中,然后固化,得到環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料。采用氮化硅泡沫陶瓷作為環(huán)氧樹脂基體的增強(qiáng)相,能夠顯著降低環(huán)氧樹脂基基體的熱膨脹系數(shù),且不會(huì)影響環(huán)氧樹脂基體的綜合性能,所形成的環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料在電子封裝材料領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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