本發(fā)明涉及高分子材料領(lǐng)域,提供了一種抗靜電、抗菌多功能高分子
復(fù)合材料,包括基體和功能
納米材料填充劑,所述基體為高分子材料,所述功能納米材料填充劑為表面修飾的Ag@T?ZnOw,所述表面修飾的Ag@T?ZnOw為經(jīng)
硅烷偶聯(lián)劑修飾的Ag@T?ZnOw,所述Ag@T?ZnOw為納米銀和四針狀氧化鋅的功能納米異質(zhì)結(jié)復(fù)合材料。該表面修飾的Ag@T?ZnOw和高分子復(fù)合材料具有良好抗靜電和抗菌能力。本發(fā)明還提供了該復(fù)合材料的制備方法,將經(jīng)過(guò)硅烷偶聯(lián)劑修飾的無(wú)機(jī)材料Ag@T?ZnOw和高分子材料開(kāi)煉或密煉共混,即可制備本發(fā)明的復(fù)合材料,制備方法簡(jiǎn)單,容易操作。通過(guò)模壓成型制作樣片進(jìn)行性能測(cè)試。
聲明:
“抗靜電、抗菌多功能高分子復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)