本發(fā)明涉及高聚物
復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種高
儲(chǔ)能密度復(fù)合材料及其制備方法。所述高儲(chǔ)能密度復(fù)合材料主要由核殼結(jié)構(gòu)的鈦酸鹽粒子與高聚物混合得到;其中,所述核殼結(jié)構(gòu)的鈦酸鹽粒子是在鈦酸鹽粒子表面包覆二氧化硅層得到的。本發(fā)明以二氧化硅作為絕緣層包覆在超細(xì)鈦酸鋇粒子的表面形成核殼結(jié)構(gòu)的鈦酸鹽,可以有效的削弱局部電場(chǎng)集中和電荷聚集,并阻止漏電流通道的形成降低介電損耗并整體提高材料的耐電壓性能,并且所述鈦酸鹽的均勻分散和二氧化硅層所帶來的高界面兼容性可以提高薄膜的擊穿;與高聚物復(fù)合,在較低填充量即可得到優(yōu)異儲(chǔ)能性能的復(fù)合材料。
聲明:
“高儲(chǔ)能密度復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)