本申請公開了一種量子點
復合材料及其制備方法、量子點發(fā)光器件。量子點復合材料包括量子點以及量子點表面連接有Si?O?Si鍵。本申請的量子點復合材料,可以提高空穴和電子的注入平衡,進而有利于得到高壽命高效率的QLED器件。本申請的量子點復合材料的量子點的表面具有巰基
硅烷和硫醇的復合配體,可以在量子點表面形成Si?O?Si鍵,能夠有效阻止載流子電子的注入;使用本申請的量子點復合材料形成發(fā)光層,可以提高器件的空穴和電子的注入平衡,進而提高器件的性能。
聲明:
“量子點復合材料及其制備方法、量子點發(fā)光器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)