本發(fā)明公開了一種高效屏蔽電磁干擾MXene/金屬離子
復合材料的制備方法,屬于二維材料領域,本發(fā)明所要解決的問題是進一步提高MXene的屏蔽電磁干擾性能,提供一種體積小,密度低,強度高,厚度薄,柔韌性好而且對電磁干擾屏蔽能力強的MXene:Ti
3C
2/金屬離子復合材料的制備方法。本發(fā)明首先采用氫氟酸對MAX相的Ti
3AlC
2粉進行刻蝕,得到手風琴狀MXene:Ti
3C
2片;然后利用吸附法在MXene:Ti
3C
2表面修飾均勻的Fe
3+/Co
2+/Ni
2+離子;隨后,采用壓片法,制作得到Ti
3C
2:Fe
3+/Co
2+/Ni
2+復合材料薄膜。所述Ti
3C
2:Fe
3+/Co
2+/Ni
2+復合材料薄膜可以用于EMI屏蔽,在15GHz頻率下,三種材料最高可以達到53.44%的屏蔽效率。
聲明:
“高效屏蔽電磁干擾MXene/金屬離子復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)