本發(fā)明公開考慮納米
復(fù)合材料界面作用的空間電荷分布二維仿真方法,該方法包括如下步驟:建立不同摻雜率的納米復(fù)合材料及其界面的二維模型;對二維模型進(jìn)行空間電荷注入;對二維模型進(jìn)行空間電荷輸運和積聚;對二維模型添加物理場,并進(jìn)行多物理場耦合;對二維模型進(jìn)行仿真參數(shù)設(shè)定;基于有限元方法對二維模型進(jìn)行仿真并得到不同摻雜率的納米復(fù)合材料空間電荷分布結(jié)果。采用本發(fā)明方法可獲得納米復(fù)合材料在不同材料、不同溫度、不同場強和不同摻雜率下的空間電荷二維分布特性,可以探究納米顆粒對空間電荷的抑制機理。
聲明:
“考慮納米復(fù)合材料界面作用的空間電荷分布二維仿真方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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