本發(fā)明涉及一種真空浸漬結合反應熔體浸滲RMI制備C/SiC?Diamond
復合材料的方法,以金剛石作為高熱導相,通過真空浸漬的方法將配置好的金剛石漿料引入到已經(jīng)用CVI法沉積至半致密的C/SiC多孔預制體中,最后用RMI法完成對C/SiC?Diamond復合材料的致密化工作。該方法可解決C/SiC?Diamond復合材料制備過程周期長、工藝復雜的問題,而且可以有效提高Diamond與SiC的界面結合強度,從而有效提高復合材料的熱導率以及力學性能。
聲明:
“真空浸漬結合反應熔體浸滲RMI制備C/SiC-Diamond復合材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)