本發(fā)明公開了一種中子屏蔽鋁基
復(fù)合材料及其制備方法。該中子屏蔽鋁基復(fù)合材料采用純鋁作為基體材料,屏蔽組分為金屬氫化物和富
10B單質(zhì)或化合物;其中,金屬氫化物的質(zhì)量百分含量為20%~50%;富
10B單質(zhì)或化合物的質(zhì)量百分含量為10%~20%;余量為鋁和不可避免的雜質(zhì)。其制備方法包括如下步驟:(1)按鋁基復(fù)合材料的成分配比稱取原料粉末;(2)在氬氣保護(hù)條件下混料;(3)將混合料進(jìn)行冷等靜壓成型,得到冷等靜壓坯錠;(4)將冷等靜壓坯錠裝入鋁包套,于300~450℃脫氣后進(jìn)行熱等靜壓成型;(5)去除鋁包套,得到鋁基復(fù)合材料。本發(fā)明的中子屏蔽鋁基復(fù)合材料對(duì)0.1MeV以上的快中子具備良好的慢化和屏蔽效果,且具有良好的耐熱、耐輻照和結(jié)構(gòu)力學(xué)性能。
聲明:
“中子屏蔽鋁基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)