本發(fā)明公開了一種基于蜀葵莖稈合成g?C3N4/C
復(fù)合材料的方法,包括以下步驟:(1)蜀葵莖稈的預(yù)處理;(2)制備g?C3N4/C復(fù)合材料。該方法以蜀葵莖稈為碳骨架,g?C3N4在模板表面鋪展形成薄片層,構(gòu)建具有特殊結(jié)構(gòu)的復(fù)合體系,該復(fù)合材料相比純相g?C3N4大幅提升了比表面積,界面清晰,碳骨架不僅起到了剛性支撐的作用,而且提升了復(fù)合材料的電子轉(zhuǎn)移效率,從而提高了光生載流子的分離效率,提高了可見光的利用率。本方法采用的原料低廉且對環(huán)境友好,可應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn),批量制備治理環(huán)境有機(jī)污染物的環(huán)保材料。
聲明:
“基于蜀葵莖稈合成g-C3N4/C復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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