本實(shí)用新型提供一種電磁屏蔽
復(fù)合材料。該電磁屏蔽復(fù)合材料呈層狀結(jié)構(gòu),包括:非晶、納米晶基底層;一層或兩層以上金屬薄膜層,層積于非晶、納米晶基底層的表面上,所述電磁屏蔽復(fù)合材料的層間為導(dǎo)電性和軟磁性相間。電磁屏蔽復(fù)合材料其總厚度為10?110μm,所述金屬層積層的厚度在0.02?70μm。所述金屬沉積層是由電沉積或化學(xué)沉積或?yàn)R射沉積的方法中的一種或多種方法形成。本實(shí)用新型的電磁屏蔽復(fù)合材料可同時(shí)兼顧低頻和高頻電磁波的影響,對(duì)寬頻段的電磁波都具有很好的屏蔽效果。
聲明:
“電磁屏蔽復(fù)合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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