本發(fā)明屬于三元納米
復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種聚(1?H苯并吲哚)/Zn?MOF/WO3三元納米復(fù)合材料制備方法及其應(yīng)用。該制備方法包括1)電沉積法制備WO3基底;2)Zn?MOF的合成;3)制備覆Zn?MOF/WO3的FTO電極;4)聚(1?H苯并吲哚)/Zn?MOF/WO3三元納米復(fù)合材料的制備。最終制備得到的聚(1?H苯并吲哚)/Zn?MOF/WO3三元納米復(fù)合材料具有良好的
電化學(xué)、電容性能和良好的電化學(xué)穩(wěn)定性,并可以進(jìn)而減小器件的內(nèi)部電阻,提高器件的
儲(chǔ)能性能,用作構(gòu)建超級(jí)電容器的電極,提高其性能,為具有高功率和高能量密度的儲(chǔ)能設(shè)備提供可能。
聲明:
“聚(1-H苯并吲哚)/Zn-MOF/WO3三元納米復(fù)合材料的制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)