本發(fā)明公開了一種利用原子層沉積技術修飾
碳納米管制備耐高壓
復合材料及方法,主要步驟為:1)用硫酸與硝酸的混合酸液酸化碳納米管;2)將酸化后的碳納米管置于溫度為295~305攝氏度的原子層沉積腔內,以三甲基鋁源和去離子水作為ALD沉積薄膜的前驅體源,在酸化后的碳納米管表面沉積
氧化鋁;3)利用超聲振蕩以及磁力攪拌將沉積后的碳納米管均勻分散到聚合物基體中,通過勻膠機制樣并烘干,得到耐高壓復合材料。本發(fā)明方法制得的復合材料與文獻報道的摻雜導電粒子的聚合物基復合材料以及純聚合物基體相比,擊穿強度有顯著提高,為制備具有高介電常數(shù),高擊穿場強的聚合物基復合材料提供了新的思路。
聲明:
“利用原子層沉積技術修飾碳納米管制備耐高壓復合材料及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)