本發(fā)明公開了一種In2O3?CNH納米
復合材料的制備方法及使用其復合材料制備氣敏元件的方法,In2O3?CNH納米復合材料的制備方法包括1:制備In(OH)3粉末;2:基于粉末制備In2O3納米立方體;3:收集帶正電荷的In2O3;4:獲得In2O3?CNH納米復合材料,氣敏元件的制備方法為基于復合材料與乙醇混合后,涂抹在電極上,紅外干燥兩小時,冷卻后焊接到電路板底座上,并老化5天,本發(fā)明構建的In2O3?CNH氣體傳感器具有響應速度快、靈敏度高、穩(wěn)定性好、選擇性好、檢測限低的特性,能對H2S進行準確、快速的檢測;其突出的特點是工作溫度低,可以在70℃下工作,可以極大地降低器件能耗。
聲明:
“In2O3-CNH納米復合材料及其制備的氣敏元件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)