本發(fā)明涉及一種基于梯度功能
復(fù)合材料封裝的壓接型IGBT功率模塊,集電極金屬層和發(fā)射極金屬層之間IGBT子模塊包括從上到下依次壓接的集電極梯度功能復(fù)合材料層、IGBT功率
芯片、發(fā)射極梯度功能復(fù)合材料層、銅底座和柵極PCB板,壓接后的IGBT子模塊外套裝封裝外殼支架,壓接后發(fā)射極梯度功能復(fù)合材料層和銅底座的缺口內(nèi)放置有柵極彈簧頂針,集電極梯度功能復(fù)合材料層與集電極金屬層和IGBT功率芯片集電極表面以及發(fā)射極梯度功能復(fù)合材料層與IGBT功率芯片的發(fā)射極表面和銅底座的熱膨脹系數(shù)相匹配,解決現(xiàn)有壓接型IGBT功率模塊中IGBT功率芯片與封裝材料組件間熱膨脹系數(shù)不匹配導(dǎo)致組件界面電熱接觸性能下降、散熱效率降低、器件使用壽命縮短的問題。
聲明:
“基于梯度功能復(fù)合材料封裝的壓接型IGBT功率模塊” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)