2納米復(fù)合材料的NO2氣敏元件及其制備方法,復(fù)合材料"> 2納米復(fù)合材料的NO2氣敏元件及其制備方法,本發(fā)明公開了一種基于rGO?SnO2納米復(fù)合材料的NO2氣敏元件及其制備方法,屬于石墨烯?金屬氧化物復(fù)合材料氣敏元件技術(shù)領(lǐng)域。所述氣敏元件主要由電極元件和均勻涂覆在電極元件上的rGO?SnO2納米復(fù)合材料組成,所述rGO?SnO2納米復(fù)合材料的微觀形貌為在還原氧化石墨烯片層上均勻生長著SnO2納米球,所述SnO2納米球直徑為40~70nm,為四方錫石相結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用一步水熱法制備出比表面積大、電阻率低、分散性良好的rGO?SnO2納米復(fù)合材料,然后將rG">

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基于rGO-SnO2納米復(fù)合材料的NO2氣敏元件及其制備方法

769   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:28:02
本發(fā)明公開了一種基于rGO?SnO2納米復(fù)合材料的NO2氣敏元件及其制備方法,屬于石墨烯?金屬氧化物復(fù)合材料氣敏元件技術(shù)領(lǐng)域。所述氣敏元件主要由電極元件和均勻涂覆在電極元件上的rGO?SnO2納米復(fù)合材料組成,所述rGO?SnO2納米復(fù)合材料的微觀形貌為在還原氧化石墨烯片層上均勻生長著SnO2納米球,所述SnO2納米球直徑為40~70nm,為四方錫石相結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用一步水熱法制備出比表面積大、電阻率低、分散性良好的rGO?SnO2納米復(fù)合材料,然后將rGO?SnO2納米復(fù)合材料作為氣敏涂層制備出NO2氣敏元件。該氣敏元件有效地解決了傳統(tǒng)NO2氣敏元件工作溫度較高及石墨烯類氣敏元件靈敏度較低、恢復(fù)時間較長等問題,具有較好的應(yīng)用價值和發(fā)展前景。
聲明:
“基于rGO-SnO2納米復(fù)合材料的NO2氣敏元件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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